A.负半周最大幅度与正半周最大幅度的差值的二次方 |
B.从零点算起的最大值 |
C.负半周最大幅度与正半周最大幅度的平均值 |
D.一个周期内瞬时值的平均乘以值2^(1/2) |
A.从负半周峰值到正半周峰值之间的差 |
B.负半周最大幅度与正半周最大幅度的差值的二次方 |
C.负半周最大幅度与正半周最大幅度的差值的平方根 |
D.从零点算起的最大值 |
A.电压的峰值除以2^(1/2) |
B.电压的平均值乘以2^(1/2) |
C.在同一电阻上可以转换出与该交流电压效果相同的热量的直流电压 |
D.最终转换成应用所需的有用能量的那部分电压值 |
A.平均值 |
B.最大值 |
C.有效值 |
D.峰-峰值 |
A.读数受振子周围物体的影响 |
B.无穷大 |
C.读数受表笔连线造成的驻波比的影响 |
D.50欧姆 |
A.0欧姆 |
B.50欧姆 |
C.读数与电缆长度有关 |
D.无穷大 |
A.16Hz – 20kHz |
B.16kHz – 20kHz |
C.67Hz - 250.3Hz |
D.220Hz – 2503Hz |
A.天线 |
B.电阻 |
C.二极管 |
D.接地 |
A.接地 |
B.电阻 |
C.天线 |
D.二极管 |
A.二极管 |
B.熔断器 |
C.电容 |
D.电阻 |
A.熔断器 |
B.二极管 |
C.电阻 |
D.电容器 |
A.熔断器 |
B.电容器 |
C.电阻 |
D.压电晶体 |
A.电阻 |
B.线圈 |
C.电容器 |
D.二极管 |
A.电容器 |
B.电阻 |
C.线圈 |
D.二极管 |
A.电阻 |
B.电池 |
C.线圈 |
D.二极管 |
A.二极管 |
B.压电晶体 |
C.电阻 |
D.电池 |
A.稳压二极管 |
B.压电晶体 |
C.发光二极管 |
D.电阻 |
A.发光二极管 |
B.电阻 |
C.稳压二极管 |
D.压电晶体 |
A.PNP双极型半导体三极管 |
B.绝缘栅场效应半导体三极管 |
C.结型场效应半导体三极管 |
D.NPN双极型半导体三极管 |
A.NPN双极型半导体三极管 |
B.PNP双极型半导体三极管 |
C.结型场效应半导体三极管 |
D.绝缘栅场效应半导体三极管 |
A.PNP双极型半导体三极管 |
B.NPN双极型半导体三极管 |
C.结型场效应半导体三极管 |
D.绝缘栅场效应半导体三极管 |
A.结型场效应半导体三极管 |
B.绝缘栅场效应半导体三极管 |
C.PNP双极型半导体三极管 |
D.NPN双极型半导体三极管 |
A.两个电源驱动的电阻发热相同 |
B.蓄电池驱动的电阻所发的热量是交流变压器上的电阻的2倍左右 |
C.蓄电池驱动的电阻所发的热量是交流变压器上的电阻的0.7倍左右 |
D.蓄电池驱动的电阻所发的热量是交流变压器上的电阻的1.4倍左右 |
A.蓄电池驱动的电阻所发的热量是交流变压器上的电阻的1.4倍左右 |
B.蓄电池驱动的电阻所发的热量是交流变压器上的电阻的0.7倍左右 |
C.两个电源驱动的电阻发热相同 |
D.蓄电池驱动的电阻所发的热量是交流变压器上的电阻的2倍左右 |
A.蓄电池驱动的电阻所发的热量是交流变压器上的电阻的0.7倍左右 |
B.两个电源驱动的电阻发热相同 |
C.蓄电池驱动的电阻所发的热量是交流变压器上的电阻的1.4倍左右 |
D.蓄电池驱动的电阻所发的热量是交流变压器上的电阻的2倍左右 |
A.两个电源驱动的电阻发热相同 |
B.蓄电池驱动的电阻所发的热量是交流变压器上的电阻的1.4倍左右 |
C.蓄电池驱动的电阻所发的热量是交流变压器上的电阻的0.7倍左右 |
D.蓄电池驱动的电阻所发的热量是交流变压器上的电阻的2倍左右 |
A.10kHz电路电阻所发的热量是50Hz电路电阻的200倍左右 |
B.10kHz电路电阻所发的热量是50Hz电路电阻的5倍左右 |
C.两个电源驱动的电阻发热相同 |
D.10kHz电路电阻所发的热量是50Hz电路电阻的1/5倍左右 |
A.幅度与单个信号源的相同、频率比原信号高一倍的正弦电压 |
B.电压为0 |
C.幅度为单个信号源的2倍、相位与原信号源相同的正弦电压 |
D.幅度与单个信号源的相同、相位与原信号源相差180°的正弦电压 |
A.幅度为单个信号源的2倍、相位与原信号源相同的正弦电压 |
B.电压为0 |
C.幅度与单个信号源的相同、相位与原信号源相差90°的正弦电压 |
D.幅度与单个信号源的相同、频率比原信号高一倍的正弦电压 |
A.幅度为单个信号源的1.41倍、相位与原信号源相差45°的正弦电压 |
B.幅度与单个信号源的相同、相位与原信号源相差45°的正弦电压 |
C.幅度为单个信号源的2倍、相位与原信号源相同的正弦电压 |
D.幅度与单个信号源的相同、频率比原信号高一倍的正弦电压 |
A.频率为F以外的无穷多个频率分量 |
B.频率为F的整数倍的无穷多个频率分量 |
C.无穷多个连续的频率分量 |
D.频率为F的一个频率分量 |
A.选择电路参数,使电源内阻能够达到最小功率损耗的状态 |
B.选择电路参数,使负载能够得到最高实际输出电流的状态 |
C.选择电路参数,使负载能够得到最高实际输出功率的状态 |
D.选择电路参数,使负载能够得到最高实际输出电压的状态 |
A.损耗功率为零 |
B.与负载得到的输出功率相等 |
C.是负载得到的输出功率的一半 |
D.与负载得到的输出功率相比可以忽略不计 |
A.放大器把相输入信号的能量放大了99倍 |
B.放大器把相当于输入信号的100倍的能量从电源转移到了输出负载 |
C.放大器产生了当于输入信号的100倍的能量,供给了输出负载 |
D.放大器把相输入信号的能量放大了100倍 |
A.在电路中被转化为热能等其他形式,或者通过电磁辐射等转移到了其他地方 |
B.在电路中消失了 |
C.返回了信号源 |
D.一部分在电路中消失了,一部分返回了信号源 |
A.100dB |
B.20dB |
C.1dB |
D.10dB |
A.100dB |
B.60dB |
C.99万dB |
D.100万dB |
A.7dB |
B.3.5dB |
C.14dB |
D.5dB |
A.2dB |
B.1dB |
C.0.5dB |
D.3dB |
A.10dB |
B.20dB |
C.40dB |
D.100dB |
A.9,999 dB |
B.10,000 dB |
C.80dB |
D.10^4dB |
A.7dB |
B.15dB |
C.14dB |
D.20dB |
A.6dB |
B.0.5dB |
C.2dB |
D.4dB |
A.-10dB |
B.-100dB |
C.-20dB |
D.100dB |
A.-60dB |
B.-100dB |
C.990000dB |
D.-1000000dB |
A.-14dB |
B.3.5dB |
C.-5dB |
D.-7dB |
A.-1dB |
B.-2dB |
C.0.5dB |
D.-3dB |
A.-100dB |
B.-20dB |
C.-40dB |
D.-10dB |
A.-80dB |
B.1/10,000 dB |
C.-10,000 dB |
D.10^-4dB |
A.0.143dB |
B.-20dB |
C.-14dB |
D.-7dB |
A.0.5dB |
B.-2dB |
C.-0.5dB |
D.-6dB |
A.(x × y × z)倍 |
B.(x + y + z)倍 |
C.(x + y + z)dB |
D.(x × y × z)dB |
A.10^(x × y × z) 倍 |
B.(x × y × z)倍 |
C.(x + y + z)倍 |
D.10^((x + y + z)/10) 倍 |
A.1.73W |
B.0.156W |
C.10.24W |
D.0.098W |
A.10.24W |
B.0.098W |
C.0.156W |
D.1.73W |
A.23mW |
B.23W |
C.0.2W |
D.0.23W |
A.4mW |
B.3.6W |
C.36mW |
D.360μW |
A.3.6mW |
B.360μW |
C.25mW |
D.0.25 mW |
A.0.40 W |
B.140μW |
C.40mW |
D.100μW |
A.各频率分量的比例发生了改变 |
B.信号的幅度发生了改变 |
C.产生了新的频率分量 |
D.不同频率分量的相位延迟差发生了改变 |
A.产生了新的频率分量 |
B.各频率分量的比例发生了改变 |
C.信号的幅度发生了改变 |
D.不同频率分量的相位延迟差发生了改变 |
A.信号的幅度发生了改变 |
B.各频率分量的比例发生了改变 |
C.不同频率分量的相位延迟差发生了改变 |
D.产生了新的频率分量 |
A.截止频率为300MHz左右的低通滤波器 |
B.截止频率为30MHz左右的低通滤波器 |
C.中心频率为30MHz左右的带通滤波器 |
D.截止频率为30MHz左右的高通滤波器 |
A.截止频率为A的高通滤波器 |
B.中心频率为A的带通滤波器 |
C.截止频率为B的高通滤波器 |
D.中心频率为A的带阻滤波器 |
A.宽带变压器 |
B.碱性干电池 |
C.电解电容器 |
D.半导体二极管 |
A.晶体滤波器 |
B.可调电感器 |
C.半导体三极管 |
D.电阻假负载 |
A.电阻 |
B.电容 |
C.电感 |
D.熔丝 |
A.熔丝 |
B.电阻 |
C.电容 |
D.电感 |
A.电容 |
B.电阻 |
C.电感 |
D.熔丝 |
A.半导体开关器件 |
B.电阻 |
C.电容 |
D.电感 |
A.电阻和电容的组合 |
B.半导体三极管和电阻的组合 |
C.电感和电阻的组合 |
D.电容和电感的组合 |
A.从0按指数规律逐渐增加到U |
B.从U突然跳到0,然后再按指数规律逐渐增大到U |
C.从U按指数规律逐渐减小到0 |
D.从0突然跳到U,然后再按指数规律逐渐减小到0 |
A.从0突然跳到U,然后再按指数规律逐渐减小到0 |
B.从U按直线规律逐渐减小到0 |
C.从0按指数规律逐渐增加到U |
D.从U突然跳到0,然后再按直线规律逐渐减小到U |
A.从0按指数规律逐渐增加到U/R |
B.从U/R突然跳到0并保持 |
C.从0突然跳到U/R,然后再按指数规律逐渐减小到0 |
D.从0突然跳到U/R并保持 |
A.从0突然跳到U/R,然后再按指数规律逐渐减小到0 |
B.从0突然跳到U/R并保持 |
C.从U/R突然跳到0并保持 |
D.从0按指数规律逐渐增加到U/R |
A.从U按指数规律逐渐减小到0 |
B.从0按指数规律逐渐增加到U |
C.从0突然跳到U并保持 |
D.从U突然跳到0并保持 |
A.从U按指数规律逐渐减小到0 |
B.从0按指数规律逐渐增加到U |
C.从0突然跳到U并保持 |
D.从U突然跳到0并保持 |
A.从U突然跳到0,然后再按指数规律逐渐增大到U/R |
B.从U/R按指数规律逐渐减小到0 |
C.从0按指数规律逐渐增加到U/R |
D.从0突然跳到U/R,然后再按指数规律逐渐减小到0 |
A.从0突然跳到U/R,然后再按指数规律逐渐减小到0 |
B.从0按指数规律逐渐增加到U/R |
C.从0突然跳到U/R并保持 |
D.从U突然跳到0,然后再按指数规律逐渐增大到U/R |
A.从U按指数规律逐渐减小到0 |
B.从0突然跳到U,然后再按指数规律逐渐减小到0 |
C.从0按指数规律逐渐增加到U |
D.从U突然跳到0并保持 |
A.从U按指数规律逐渐减小到0 |
B.从0突然跳到U,然后再按指数规律逐渐减小到0 |
C.从U突然跳到0并保持 |
D.从0按指数规律逐渐增加到U |
A.从0突然跳到U/R,然后再按指数规律逐渐减小到0 |
B.从U/R按指数规律逐渐减小到0 |
C.从0突然跳到U/R并保持U/R |
D.从0按指数规律逐渐增加到U/R |
A.从0突然跳到U/R,然后再按指数规律逐渐减小到0 |
B.从U/R按指数规律逐渐减小到0 |
C.从0按指数规律逐渐增加到U/R |
D.从0突然跳到U/R并保持 |
A.保持在0 |
B.从0按指数规律逐渐增加到I*R |
C.从I*R按指数规律逐渐减小到0 |
D.保持在I*R |
A.电解电容器 |
B.额定功率为50瓦的大电阻 |
C.大电流高反压二极管 |
D.电源变压器的绕组 |
A.与电压和电容量都成反比 |
B.与电容量成正比,与电压成反比 |
C.与电压成正比,与电容量成反比 |
D.与电压和电容量都成正比 |
A.与电压和电感量都成反比 |
B.与电压和电感量都成正比 |
C.与电压成正比,与电感量成反比 |
D.与电感量成正比,与电压成反比 |
A.ASK |
B.FSK |
C.PSK |
D.SSTV或FAX |
A.PSK |
B.SSTV或FAX |
C.ASK |
D.FSK |
A.FSK |
B.PSK |
C.SSTV或FAX |
D.ASK |
A.在低频率下实心铜线损耗较大,在高频率下两者损耗一样 |
B.在各种频率下两者耗差都一样 |
C.在低频率下实心铜线损耗较小,在高频率下两者损耗一样 |
D.在不同频率两者的发热损耗大小不好说,取决于具体散热条件 |
A.表层的电流沿导线方向流动,内层电流形成螺旋状涡流 |
B.导线外层和内层都有电流,但两者方向相反 |
C.导线截面各处的电流密度均匀分布 |
D.电流集中在导线表层,导线内部没有电流 |
A.介质损耗 |
B.磁阻损耗 |
C.磁滞损耗 |
D.涡流损耗 |
A.回路两端电压信号幅度从中心频率衰减3dB时上、下限频率的间距 |
B.回路两端电压信号幅度从中心频率衰减30%时上、下限频率的间距 |
C.回路两端电压信号幅度从中心频率衰减80%时上、下限频率的间距 |
D.回路两端电压信号幅度从中心频率衰减95%时上、下限频率的间距 |
A.高于该频率的信号将会在滤波器中发生非线性失真 |
B.高于该频率的信号将被滤波器完全切除 |
C.低于该频率的信号将被滤波器完全切除 |
D.输出频率特性曲线从通带的0dB变化到-3dB的频率 |
A.滤波器维持3dB增益的频率比范围宽度 |
B.输出频率特性曲线从通带的0dB变化到-3dB的频率之间的宽度 |
C.输出信号相对于输入信号衰减3dB以下(含3dB)的频率范围宽度 |
D.输出信号相对于输入信号衰减3dB以上(含3dB)的频率范围宽度 |
A.滤波器的阶数越高,抑制倍频干扰的效果越好 |
B.滤波器的阶数越高,耐受的功率越大 |
C.滤波器的阶数越高,损耗的功率越小 |
D.滤波器的阶数越低,抑制倍频干扰的效果越好 |
A.“每分钟平均脉冲数”,常用于描述单个脉冲的出现次数 |
B.“百万分比”,常用于描述频率的相对稳定度 |
C.“每分钟点数”,常用于描述太阳黑子的发生频度 |
D.“每分钟点数”,常用于描述随机干扰的出现次数 |
A.接收机的声音能量反馈到电路板引起 |
B.随着射频能量泄露,电路的输出功率下降 |
C.半导体晶体管处于老化过程 |
D.元器件通电发热,引起相关LC参数变化,造成谐振频率漂移 |
A.RC定时电路,LC回路,石英声表面波元件,石英晶体谐振器,陶瓷谐振器 |
B.RC定时电路,陶瓷谐振器,LC回路,石英晶体谐振器,石英声表面波元件 |
C.LC回路,RC定时电路,陶瓷谐振器,石英声表面波元件,石英晶体谐振器 |
D.RC定时电路,LC回路,陶瓷谐振器,石英声表面波元件,石英晶体谐振器 |
A.将交流输入整流滤波为高压直流,由半导体开关电路变成高压脉冲电流,由变压器变成低压脉冲,整流滤波为低压直流 |
B.由大功率半导体三极管将交流输入变为高压直流,由专用集成电路变成超音频脉冲电流,经整流滤波为低压直流 |
C.由变压器将交流输入变为低压交流,由半导体开关电路变成超音频脉冲电流,经整流滤波为低压直流 |
D.将交流输入整流滤波为高压直流,由变压器变成低压脉冲,由半导体开关电路变成低压直流,滤波后输出 |