A.电容三点式振荡器 |
B.电感反馈式振荡器 |
C.RC反馈式振荡器 |
D.电感三点式振荡器 |
A.RC反馈式振荡器 |
B.电感三点式振荡器 |
C.电感反馈式振荡器 |
D.电容三点式振荡器 |
A.二极管环形调制器 |
B.二极管全波整流器 |
C.二极管桥式整流器 |
D.二极管半波整流器 |
A.二极管桥式整流器 |
B.二极管环形调制器 |
C.二极管半波整流器 |
D.二极管全波整流器 |
A.二极管全波整流器 |
B.二极管半波整流器 |
C.二极管环形调制器 |
D.二极管桥式整流器 |
A.二极管半波整流器 |
B.二极管桥式整流器 |
C.二极管环形调制器 |
D.二极管全波整流器 |
A.A-接收电波,C1、C2、L-谐振选频,D-检波,C3-旁路滤波,M-指示 |
B.A-整流,C1、C2-隔直流,L-放大,D-滤波,C3-谐振,M-指示 |
C.A-接收电波,C1、C2高频旁路,L-放大,D-开关,C3-耦合,M-指示 |
D.A-接收电波,C1、C2旁路滤波,L-升压,D-放大,C3-隔直流,M-指示 |
A.63% |
B.6.28% |
C.37% |
D.99% |
A.63% |
B.99% |
C.37% |
D.6.28% |
A.37% |
B.63% |
C.99% |
D.6.28% |
A.6.28% |
B.63% |
C.99% |
D.37% |
A.增大到原来的N倍 |
B.减少到原来的1/(2πN) |
C.增大到原来的2πN倍 |
D.减少到原来的1/N |
A.增大到原来的2πN倍 |
B.减少到原来的1/N |
C.减少到原来的1/(2πN) |
D.增大到原来的N倍 |
A.电容器介质损耗造成非线性失真 |
B.仪器的频率特性欠佳 |
C.容抗计算公式在高频率下不适用 |
D.电容器引线在频率变高后带来不可忽略的感抗 |
A.感抗计算公式在高频率下不适用 |
B.仪器的频率特性欠佳 |
C.电感线圈的分布电容在频率变高后带来不可忽略的容抗 |
D.电感线圈导线损耗造成非线性失真 |
A.三极管导通的瞬间集电极可能承受远高于电源的电压冲击 |
B.三极管关断的瞬间集电极可能承受远高于电源的电压冲击 |
C.三极管导通的瞬间集电极可能承受远高于工作电流的电流冲击 |
D.三极管关断的瞬间集电极可能承受远高于工作电流的电流冲击 |
A.吸收继电器线圈电感在电路关断瞬间感应出的反向电动势以保护开关器件 |
B.减少继电器的磨损 |
C.消除继电器接点通断时产生的火花干扰 |
D.减少通过开关器件的工作电流 |
A.吸收继电器线圈电感在电路关断瞬间感应出的反向电动势以保护开关器件 |
B.减少继电器的磨损 |
C.消除继电器接点通断时产生的火花干扰 |
D.减少通过开关器件的工作电流 |
A.法拉 |
B.毫法拉 |
C.皮法拉 |
D.微法拉 |
A.毫法拉 |
B.微法拉 |
C.皮法拉 |
D.法拉 |
A.前一位表示容量基数,第二位表示基数后面加上几个0,第三位表示误差级别,单位为皮法拉 |
B.实际容量为该三位数字乘以1000,单位为皮法拉 |
C.实际容量为该三位数字除以1000,单位为法拉 |
D.前两位表示容量基数,后一位表示基数后面加上几个0,单位为皮法拉 |
A.前一位表示阻值基数,第二位表示基数后面加上几个0,第三位表示误差级别,单位为千欧姆 |
B.前两位表示阻值基数,后一位表示基数后面加上几个0,单位为欧姆 |
C.实际阻值为该三位数字除以100,单位欧姆 |
D.实际阻值为该三位数字乘以100,单位欧姆欧 |
A.把所有数字挑出来连在一起乘以100,单位为欧姆 |
B.把所有数字挑出来连在一起,再根据字母为R、K或M,分别取欧姆、千欧姆或兆欧姆为单位 |
C.字母前的数字表示阻值基数,字母后的数字表示误差级别,字母R、K或M,分别表示单位为欧姆、千欧姆或兆欧姆 |
D.把字母当做小数点,和数字连在一起表示阻值基数,字母R、K或M,分别表示单位为欧姆、千欧姆或兆欧姆 |
A.毫法拉 |
B.微法拉 |
C.法拉 |
D.皮法拉 |
A.足够高的电压可以产生感应磁场 |
B.摩擦产生的静电可以感应出直流磁场 |
C.变化的磁场可以产生感应电流 |
D.足够大的静止磁场可以产生感应电流 |
A.两种不同频率的信号在空间叠加造成的干扰现象 |
B.两个部件的电压形成的电场互相叠加的现象 |
C.两个元器件连接在一起时各自的阻抗对流过对方的电流产生的相互影响 |
D.两个回路电流变化,通过磁场耦合而相互产生感应电动势的现象 |
A.与电压相差180度 |
B.落后于电压相位90度 |
C.超前于电压相位90度 |
D.与电压相位相同 |
A.超前于电流相位90度 |
B.与电流相差180度 |
C.与电压相位相同 |
D.落后于电流相位90度 |
A.与电压相差180度 |
B.超前于电压相位90度 |
C.落后于电压相位90度 |
D.与电压相位相同 |
A.落后于电流相位90度 |
B.与电流相差180度 |
C.与电流相位相同 |
D.超前于电流相位90度 |
A.检波 |
B.振荡 |
C.变频 |
D.差拍 |
A.检波 |
B.振荡 |
C.差拍 |
D.变频 |
A.检波 |
B.变频 |
C.差拍 |
D.振荡 |
A.差拍叫声 |
B.听不到任何语音 |
C.正常的语音 |
D.模糊不清的类似语音的声音 |
A.听不到语音,信号越强越寂静 |
B.正常的语音 |
C.模糊不清的类似语音的声音 |
D.差拍叫声 |
A.听不到任何语音 |
B.正常的语音 |
C.模糊不清的类似语音的声音 |
D.差拍叫声 |
A.正常的语音 |
B.听不到任何语音 |
C.差拍叫声 |
D.模糊不清的类似语音的声音 |
A.听不到任何语音 |
B.模糊不清的类似语音的声音 |
C.差拍叫声 |
D.听不到语音,有信号时噪声消失,但听不到语音 |
A.听不到语音,但噪声可能会有些变化 |
B.模糊不清的类似语音的声音 |
C.差拍叫声 |
D.听不到任何语音 |
A.整块铁芯容易产生机械松动 |
B.矽钢片和磁性材料比整块铁芯容易加工 |
C.防止交流电流在导电的铁芯内感应出涡流、造成发热损耗 |
D.整块铁芯容易漏电,不利用安全 |
A.加入磁芯后可用较短导线维持所需的电感量,减少导线电阻引起的发热损耗 |
B.磁芯比空气更容易散热,可减少线圈的发热损耗 |
C.加入磁性可改善导线趋肤效应引起局部电流密度增大而带来的发热损耗 |
D.磁芯可将原来损耗的能量反射回导线 |
A.匹配 |
B.谐振 |
C.干涉 |
D.叠加 |
A.f = 1/((2πLC)^2) |
B.f = 2π(LC)^(1/2) |
C.f = 2π(LC)^(1/2) |
D.f = 1/(2π(LC)^(1/2)) |
A.随频率增高而不断增大 |
B.在谐振频率达到最小值 |
C.随频率增高而不断减小 |
D.在谐振频率达到最大值 |
A.在谐振频率达到最小值 |
B.随频率增高而不断增大 |
C.随频率增高而不断减小 |
D.在谐振频率达到最大值 |
A.谐振回路或者天线所耐受的最大功率。耐受功率越大,Q值越高 |
B.谐振回路中信号的能量损耗情况。损耗越小,Q值越高 |
C.谐振回路或者天线所能正常工作的最高频率。工作频率上限越高, Q值越高 |
D.谐振回路体积或者天线尺寸与波长的比例。体积或尺寸越紧凑,Q值越高 |
A.Q值越高,回路或天线的工作状态受频率变化的影响越小 |
B.Q值越高,谐振曲线越尖锐,选择性越好,通带宽度越窄 |
C.Q值越高,谐振曲线越平坦,选择性越不明显,通带宽度越宽 |
D.Q值越高,回路或天线的工作频率越高 |
A.通带范围内衰减因频率不同的变化幅度 |
B.滤波器因元器件不稳定等随机原因使输出信号幅度发生上下波动的现象 |
C.等幅信号通过滤波器时幅度发生抖动的现象 |
D.滤波器频率特性在整个频谱范围内的变化趋势 |
A.矩形波信号通过接收机所产生的延迟时间 |
B.通带滤波器频率特性曲线斜坡的陡峭程度 |
C.通带晶体滤波器中石英晶片的形状和切割方式 |
D.通带滤波器对矩形波信号的通过能力 |
A.A机对偏离工作频率±10kHz以外的干扰信号的抑制能力比B机强 |
B.A机对邻近频道干扰的抑制能力比B机强 |
C.A机对镜像频道干扰的抑制能力比B机强 |
D.A机对邻近频道干扰的抑制能力比B机差 |
A.A机对通道内信号的频率响应比B机平坦 |
B.A机对通道内信号的频率响应不如B机平坦 |
C.A机的通带增益的可调范围比B机小 |
D.A机接收到的信号的幅度颤动比B机小 |
A.滤波电路中电感元件的总个数减去电容元件的总个数,即得阶数 |
B.先合并简化串、并联的电容元件或串、并联的电感元件,得到的电容元件和电感元件总个数即为阶数 |
C.滤波电路中分叉节的数量减1即为阶数 |
D.滤波电路中分叉节的数量即为阶数 |
A.中频数字信号处理部件、音频数字信号处理部件 |
B.超低温前置射频放大器、超线性射频功率放大器 |
C.通信模式自动识别功能、干扰信号自动抵消功能 |
D.温度补偿式晶体振荡器、恒温控制式晶体振荡器 |
A.可变频率振荡器 |
B.压控振荡器 |
C.可变石英振荡器 |
D.石英晶体元件 |
A.压控振荡器 |
B.可变频率振荡器 |
C.可变石英振荡器 |
D.石英晶体元件 |
A.二极管导电区的非线性;在设备电流超限时加大压降,起到限流作用 |
B.二极管的单向导电特性;在接反电源极性时自动阻断电源 |
C.大电流二极管的散热性能;帮助电路发散热量,防止设备过热 |
D.二极管导电区的非线性;在电源过压时加大压降,起到稳压作用 |
A.大电流二极管的散热性能;帮助电路发散热量,防止设备过热 |
B.二极管导电区的非线性;在设备电流超限时加大压降,起到限流作用 |
C.二极管导电区的非线性;在电源过压时加大压降,起到稳压作用 |
D.二极管的单向导电特性;接反电源极性时造成很大短路电路,烧断熔丝,造成电源永久切断 |
A.电路过于简单,无论使用锗、硅二极管,都无法工作 |
B.硅二极管反向击穿电压比较高,应选用硅管使场强表延长使用寿命 |
C.锗、硅二极管的起始导通电压分别为0.3和0.7V,应选用锗二极管使场强表比较灵敏 |
D.所有二极管都具有同样的单向导电特性,采用锗、硅二极管效果完全相同 |
A.市电网的发电能力远大于无线电发射设备,致使电路各处电压恒定 |
B.市电频率很低,导线长度的差别与波长相比微不足道,驻波现象很不明显而已 |
C.无线电设备所接的馈线和市电网用的电线性能不同,所以现象不同 |
D.供电工程和无线电工程所适用的电学理论基础不相同 |
A.电缆固有噪声只产生在VHF/UHF频段 |
B.在HF频段的八木天线体积较大,把放大器安装得太近容易引起自激 |
C.HF频段的放大器体积太大,不适合于安装在天线端 |
D.VHF/UHF频段信号微弱,在天线端放大可减少电缆固有噪声影响;HF频段环境背景噪声电平高,电缆固有噪声可以忽略 |
A.调谐在倍频上的LC谐振电路 |
B.甲类放大电路 |
C.谐振频率等于倍频的石英晶体谐振器 |
D.非线性电路 |
A.频谱的反转(倒置) |
B.频谱的简单平移 |
C.频谱分量完全打乱后重新组合 |
D.频谱各分量相对幅度的有规律变化 |
A.一条复杂的周期性曲线 |
B.多条固定的直线 |
C.一条固定的垂直线 |
D.一条固定的直线,左右伴随一组对称的随语音变化的直线 |
A.频谱图 |
B.波形图 |
C.相位矢量图 |
D.频谱瀑布图 |
A.相位矢量图 |
B.波形图 |
C.频谱瀑布图 |
D.频谱图 |
A.频率-时间曲线 |
B.波形图 |
C.相位矢量图 |
D.功率-时间曲线 |
A.功率-时间曲线 |
B.频率-时间曲线 |
C.相位矢量图 |
D.波形图 |
A.频谱瀑布图 |
B.相位矢量图 |
C.频谱图 |
D.波形图 |
A.输入-输出特性曲线 |
B.输入阻抗特性曲线 |
C.功率-时间曲线 |
D.频率-时间曲线 |
A.正向无所谓,但需并联限流电阻 |
B.正向直接连接到电源上 |
C.正向连接,需串联限流电阻 |
D.反向连接,需串联限流电阻 |
A.4个 |
B.5个 |
C.2个 |
D.3个 |
A.较小的栅极信号电流变化可以引起较大的屏极电压的成比例变化 |
B.较小的栅极信号电压变化可以引起较大的屏极电流的成比例变化 |
C.较小的栅极信号电流变化可以引起较大的屏极电流的成比例变化 |
D.较小的阴极电流变化就可以引起较大的屏极电压的成比例变化 |
A.较小的栅极信号电压变化可以引起较大的漏极电流的成比例变化 |
B.较小的栅极信号电流变化可以引起较大的漏极电流的成比例变化 |
C.较小的源极信号电流变化可以引起较大的漏极电压的成比例变化 |
D.较小的栅极信号电流变化可以引起较小的漏极电流的成比例变化 |
A.较小的发射极信号电流变化可以引起较大的集电极电流的成比例变化 |
B.较小的基极信号电压变化可以引起较大的集电极电流的成比例变化 |
C.较小的基极信号电压变化可以引起较大的集电极电压的成比例变化 |
D.较小的基极信号电流变化可以引起较大的集电极电流的成比例变化 |
A.电压放大倍数;没有单位量纲;符号为“k” |
B.互导(跨导); 单位为“倍”;符号为“A” |
C.电流放大倍数;没有单位量纲;符号为“β” |
D.互导(跨导); 单位为毫安/伏;符号为“gm” |
A.互导(跨导);; 单位为毫安/伏;符号为“gm” |
B.电流放大倍数;没有单位量纲;符号为“β” |
C.电压放大倍数;没有单位量纲;符号为“k” |
D.互导(跨导); 单位为“倍”;符号为“A” |
A.电流放大倍数;没有单位量纲;符号为“β” |
B.互导(跨导); 单位为毫安/伏;符号为“gm” |
C.电压放大倍数;没有单位量纲;符号为“k” |
D.互导(跨导); 单位为“倍”;符号为“A” |
A.双极型半导体三极管、金属绝缘栅场效应三极管、结型场效应三极管 |
B.金属绝缘栅场效应三极管、双极型半导体三极管、结型场效应三极管 |
C.双极型半导体三极管、结型场效应三极管、金属绝缘栅场效应三极管 |
D.结型场效应三极管、双极型半导体三极管、金属绝缘栅场效应三极管 |
A.增益不超过30dB的放大器 |
B.工作点始终处于线性工作区的放大器 |
C.输入信号电压幅度始终小于10毫伏的放大器 |
D.输出信号电压幅度始终小于10伏的放大器 |
A.工作点可以超出线性工作区的放大器 |
B.输入信号电压最大幅度大于10毫伏的放大器 |
C.增益超过30dB的放大器 |
D.输出信号电压最大幅度大于10伏的放大器 |
A.共发射极放大器 |
B.共栅极放大器 |
C.共基极放大器 |
D.共集电极放大器 |
A.共发射极放大器 |
B.共源极放大器 |
C.共集电极放大器 |
D.共基极放大器 |
A.共集电极放大器 |
B.共基极放大器 |
C.共漏极放大器 |
D.共发射极放大器 |
A.共集电极放大器、共发射极放大器、共基极放大器 |
B.共发射极放大器、共集电极放大器、共基极放大器 |
C.共基极放大器、共发射极放大器、共集电极放大器 |
D.共栅极放大器、共源极放大器、共漏极放大器 |
A.共源极放大器、共漏极放大器、共栅极放大器 |
B.共发射极放大器、共集电极放大器、共基极放大器 |
C.共基极放大器、共发射极放大器、共集电极放大器 |
D.共集电极放大器、共发射极放大器、共基极放大器 |
A.共栅极放大电路的电压放大倍数最大 |
B.共栅极放大电路的非线性失真最小 |
C.共栅极放大电路的输入阻抗最高,同样的信号电流可得到较大的输入电压 |
D.输入阻抗低,栅极接地进一步阻断输入输出的极间电容耦合,因此工作稳定,不易自激 |
A.发射极负反馈电阻,稳定直流工作点 |
B.负载电阻,将集电极信号电流转换为信号电压 |
C.偏流电阻,为晶体管提供偏置电流以工作在适当工作点 |
D.集电极负反馈电阻,提供负反馈,减少信号失真 |
A.发射极负反馈电阻,稳定直流工作点 |
B.偏流电阻,为晶体管提供偏置电流以工作在适当工作点 |
C.负载电阻,将发射极信号电流转换为信号电压 |
D.负载电阻,将集电极信号电流转换为信号电压 |
A.发射极负反馈电阻,稳定直流工作点 |
B.偏流电阻,为晶体管提供偏置电流以工作在适当工作点 |
C.基极负反馈电阻,提供负反馈,减少信号失真 |
D.负载电阻,将输入信号电流转换为信号电压 |
A.负反馈电容,提供负反馈,减少信号失真 |
B.旁路电容,使发射极交流信号电流分量顺利通过,不致在Re造成压降形成负反馈 |
C.输入耦合(或隔直流)电容,使输入交流信号电流进入放大器但阻隔直流电流分量出入 |
D.输出耦合(或隔直流)电容,使输出交流信号顺利输出但阻隔直流分量电流出入 |
A.旁路电容,使发射极交流信号电流分量顺利通过,不致在Re造成压降形成负反馈 |
B.输入耦合(或隔直流)电容,使输入交流信号电流进入放大器但阻隔直流电流分量出入 |
C.输出耦合(或隔直流)电容,使输出交流信号顺利输出但阻隔直流分量电流出入 |
D.负反馈电容,提供负反馈,减少信号失真 |
A.输入耦合(或隔直流)电容,使输入交流信号电流进入放大器但阻隔直流电流分量出入 |
B.输出耦合(或隔直流)电容,使输出交流信号顺利输出但阻隔直流分量电流出入 |
C.旁路电容,使发射极交流信号电流分量顺利通过,不致在Re造成压降形成负反馈 |
D.负反馈电容,提供负反馈,减少信号失真 |
A.提高信噪比 |
B.改善接收机音频输出的保真度 |
C.改善接收机的动态范围 |
D.提高接收机最终的音频输出功率电平 |
A.尽量安装在靠近接收机的地方,放大器最好加热以防止元器件温度过低 |
B.尽量安装在靠近接收机的地方,放大器尽量采用较高的电源电压以求更高的增益 |
C.尽量安装在远离天线的地方,放大器采用射频正反馈电路以提高增益 |
D.尽量安装在靠近天线的地方,信号特别微弱时对放大器冷却以降低热噪声 |
A.D |
B.A |
C.B |
D.C |
A.B |
B.C |
C.A |
D.D |
A.A、B、C、D |
B.A |
C.A、B、C |
D.A、B、D |
A.A |
B.A、B、C、D |
C.A、B、C |
D.A、B、D |
A.失真小,工作稳定,但增益会有所减小 |
B.放大倍数增大,输出信号含有的新频率分量增多 |
C.增益增大,但失真会有所增加 |
D.输出信号幅度加大,而需要的输入信号幅度减小 |
A.待处理信号波形的复杂程度 |
B.待处理信号的带宽占最高频率分量的百分比 |
C.待处理信号的最低频率分量 |
D.待处理信号的最高频率分量 |
A.待处理信号的带宽占最高频率分量的百分比 |
B.待处理信号波形的复杂程度 |
C.待处理信号的最高频率分量 |
D.待处理信号的最低频率分量 |